Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Г. Г. Горох, Д. В. Соловей, В. А. Лабунов, В. И. Осинский*, Д. О. Мазунов*
«Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si »
0913–0923 (2011)

PACS numbers: 68.37.Hk, 68.55.J-, 78.60.Hk, 78.66.Fd, 78.67.Rb, 81.05.Rm, 81.40.Tv

Розроблено та досліджено методу формування перфорованих плі-вок АОА з реґулярною комірчасто-поруватою структурою і відда-леним бар’єрним оксидним шаром при анодній поляризації системи Al/n-Si. Відпрацьовано технологічні режими селективного зростання напівпровідникових сполук InGaN у порах модифікова-них матриць АОА методою гідридної газофазної епітаксії. Одер-жані самоорганізовані наноструктури InGaN в порах анодного оксиду алюмінію характеризуються кристалографічною неполярною ?-орієнтацією. Виконано дослідження катодолюмінісценції одержаних структур і проаналізовано спектральні характеристи-ки.