Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

A. D. Pogrebnyak, N. Y. Jamil*, and A. K. M. Muhammed
«Simulation Study of n-ZnO/p-Si Heterojunction Solar Cell»
0819–0830 (2011)

PACS numbers: 42.70.-a, 72.40.+w, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 84.60.Jt, 88.40.H-, 88.40.J-

У даній роботі програма моделювання SCAPS-10 використовується для вивчення структури n-ZnO/p-Si-гетеропереходу сонячних елементів. Ця програма призначена в основному для моделювання та вивчення властивостей фотонних пристроїв. Ми досліджували важливі контрольовані параметри дизайну, що впливають на дія-льність р–n-переходу сонячних елементів, такі як робоча тем-пература, тому що ми побачили підвищення характеристики J–V за рахунок збільшення Т, а також вивчили вплив товщини кожного шару на ефективність сонячного елементу і помітили підвищення J–V-характеристики зі збільшенням товщини р-шару. У прикладі з оптимальними параметрами товщини шару р???3 мм, n???3 мм, Na???Nd???1019 при 300 К одержали такі результати: ????5.83%, Voc???0,589 В, JSC???12,451 мкA/см2; в даному випадку ми підібрали оптимальні параметри для досягнення максимальної продуктивно-сти цього типу гетеропереходів і зробили порівняння з практич-ною n-ZnO/p-Si-коміркою сонячного елементу.