Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Ф. Ф. Комаров, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, А. Ф. Комаров, А. В. Мудрый*, Б. С. Дунец
«Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А3В5 в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники.»
0355–0363 (2011)

PACS numbers: 61.72.uj, 68.37.Lp, 78.30.Fs, 78.55.Cr, 79.20.Rf, 81.07.Bc, 81.40.Wx

Вивчено вплив режимів йонної імплантації та постімплантацій-них термооброблень на структурні і оптичні властивості крем-нійової матриці йонносинтезованими нанокластерами InAs і GaSb. Показано, що введенням ґетера, а також зміною температу-ри підложжя та флюєнсу йонів, температури та тривалости насту-пного відпалу вдається сформувати нанокластери InAs і GaSb з розмірами 2–80 нм та створити різну концентрацію і форму гли-бинних розподілів вторинних дефектів структури. Останній фак-тор обумовлює появу ліній дислокаційної люмінесценції D1, D2 і D4 з енергією квантів 0,807, 0,87 і 0,997 еВ.