Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко
«Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками.»
0343–0353 (2011)

PACS numbers: 72.20.Jv, 72.40.+w, 73.21.La, 73.50.Pz, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 79.10.Ca

У гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової провідности після вимкнення збуджувального випромінення. Встановлено присутність глибоких центрів прилипання для електронів, які значною мірою впливають на транспорт носіїв заряду та на процеси рекомбінації. Температурними дослідженнями виявлено ефект термостимульованої провідности в гетероструктурі. За формою кривої термостимульованого струму одержано значення глибини залягання рівня прилипання відносно зони провідности — 0,17 еВ.