Випуски

 / 

2011

 / 

том 9 / 

випуск 2

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Д. А. Фокин, С. И. Божко, V. Dubost*, F. Debontridder*, А. М. Ионов, T. Cren*, D. Roditchev*
«Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si.»
0333–0341 (2011)

PACS numbers: 61.05.jh, 68.35.Dv, 68.37.Ef, 68.55.ag, 68.65.Fg, 81.07.St, 82.80.Pv

Виконано дослідження особливостей формування металевих наноо-стрівців Pb на поверхні кремнію методою сканівної тунельної мікроскопії. Показано, що ріст наноострівців Pb на поверхні Si відбувається в рамках моделю Странскі–Крастанова; разом з тим формування острівців супроводжується їх розшаруванням з хара-ктерним масштабом 2 нм (7 моношарів Pb). Виявлене явище розг-лядається в зв’язку з мінімізацією енергії в квантових ямах, які утворюються внаслідок ефекту квантової локалізації, та пояснюються в рамках моделю електронного росту.

©2003—2020 наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції про збірник Угода користувача