Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко*, В. В. Лобанов
«Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника.»
0313–0324 (2011)

PACS numbers: 73.30.+y, 77.22.Ch, 79.70.+q, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Tv

В межах методи діелектричного формалізму для систем з трьох середовищ з просторовою дисперсією розраховано структурний потенціял в системі напівпровідник–вакуум–метал, який обумовлений атомарною (мікроскопічною) структурою кожної з поверхонь. Взаємозв’язок між напівпровідником та металом, який обумовлений екрануванням поверхневого заряду напівпровідника вільними електронами близько розташованого металу та підсилений утворенням потенціяльного бар’єру у вакуумному проміжку при L???10 нм, істотно зростає зі зменшенням його товщини L???0,1 нм. Показано, що розрахований структурний потенціял , який є суперпозицією внесків мікроскопічної структури кожної з двох поверхонь, є несиметричним та обумовлює не тільки локальну зміну висоти потенціяльного бар’єру у вакуумній щілині, але й латеральну зміну сумарного потенціялу на поверхні напівпровідника та в його приповерхневій області.