Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

М. Батаев, Ю. Батаев*, Л. Бриллсон*
«Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзи-сторы c высокой подвижностью электронов.»
0085–0092 (2011)

PACS numbers: 72.80.Ey, 73.40.-c, 73.50.Fq, 73.61.-r, 73.63.Rt, 81.40.Wx, 85.30.-z

Деґрадація транзисторів під впливом протонного опромінення з енергією у 1,8 МеВ досліджувалася до густини протонного опромінення у 3?1015 см?2. Структури з високою рухливістю електронів на основі AlGaN/AlN/GaN мають вище значення електронної мобільности, аніж структури на основі шарів AlGaN/GaN, та демонструють більш високу радіяційну стійкість з відсутністю деґрадації електрофізичних властивостей структури до значення інтеґральної густини протонного опромінення у 1014 см?2. Міряні електрофізичні параметри транзисторних структур продемонстрували зменшення максимальної крутизни ВАХ, збільшення порогу струму та зменшення струму наситу. Основними механізмами деґрадації структур під впливом протонного опромінення є зменшення рухливости носіїв внаслідок розсіяння носіїв на межі шарів та зменшення густини носіїв у каналі завдяки переміщенню носіїв на глибокі рівні з зони провідности.