Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко*, В. В. Лобанов
«О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник–вакуум–металл.»
0055–0065 (2011)

PACS numbers: 73.23.Hk, 73.30.+y, 73.40.Qv, 73.63.Rt, 81.07.Lk, 85.30.-z, 85.35.-p

У рамках методи діелектричного формалізму для системи трьох середовищ з просторовою дисперсією розраховано сумарний електростатичний потенціял Vi(x) у системі напівпровідник–вакуум–метал (НВМ), що враховує зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу до контакту. Показано, що непере-рвність потенціялу Vi(x, ??) при переході системи НВМ у ко-нтакт може бути збереженою за умови створення подвійного електричного шару (ПЕШ) і перерозподілу густин заряду на роздільчій межі відповідно до контактної ріжниці потенція-лів ?? і товщини ПЕШ L. Незалежність розподілу зарядового потенціялу в напівпровіднику від L при формуванні випросту-вального контакту обумовлює стабільність висоти запірного шару у всій площині контакту, тоді як висота потенціяльного бар’єру всередині вакуумної щілини збільшується зі збільшенням L відповідно до розподі-лу потенціялу сил зображення у ній.