Випуски

 / 

2009

 / 

том 7 / 

випуск 1

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

О. О. Балицький, С. А. Грищенко
«Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe »
0177–0184 (2009)

PACS numbers: 68.37.Ps, 81.16.-c, 82.45.Mp, 82.45.Vp, 82.45.Yz, 84.60.Jt, 85.35.Be

Експериментально доведено, що освітлення напівпровідникової електроди, виготовленої з шаруватого напівпровідника n-GaSe в кислих та нейтральних середовищах посилює анодні і катодні реакції. Освітлення випроміненням сонячного діяпазону посилює віддачу електронів від електроди, а також селективне розчинення Se, Ga, стимулюючи їх перехід у йонний стан. Рідкі нейтральні, кислі середовища у вигляді плівок або крапель, які формуються на поверхні цих електрод, впливають на поверхневі характеристики досліджуваних напівпровідників, а тому вивчення змін структури на нанорівні та електрохемічних властивостей необхідне для з’ясування принципу дії нових фотоелектрохемічних комірок перетворення сонячної енергії.

©2003—2021 наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова Національної академії наук України.
Електрона пошта: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції про збірник Угода користувача