Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

А. А. Кузин, А. В. Заблоцкий, А. С. Батурин, Д. А. Лапшин, П. Н. Мелентьев, В. И. Балыкин
«Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики »
0163–0168 (2009)

PACS numbers: 37.25.+k, 81.15.Hi, 81.15.Jj, 81.16.Nd, 81.16.Rf, 85.65.+h

У даній статті пропонується спосіб створення масиву мікролінз, призначених для атомової проєкційної нанолітографії, на мембрані Si3N4 товщиною порядку 40 нм. На мембрану напорошується провідна плівка товщиною порядку 30 нм, яка запобігає заряджанню, що необхідно для усунення ефективного розширення жмута. Потім сфокусованим йонним жмутом пропалюються отвори. Після чого одержані отвори «зарощуються» до потрібного діяметра за рахунок індукованого електронним жмутом осадження вуглецевмісних сполук із залишкових газів камери. Мінімальний одержаний діяметер атомової мікролінзи склав 20 нм.