Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Л. Долгов, O. Ярощук, M. Лебовка
«Структура та електрооптичний відгук рідкого кристалу з неґативною діелектричною анізотропією, допованого вуглецевими нанотрубками»
0625–0633 (2008)

PACS numbers: 61.30.Gd, 61.30.Jf, 61.46.+w, 64.75.+g, 77.84.Nh, 78.20.Jq, 82.70.Kj

Досліджено мікроструктуру та електрооптичний відгук рідкого кристалу (РК) з неґативною діелектричною анізотропією н-(n-етокси-бензиліден)- n-бутиланіліну (ЕББА), допованого багатошаровими вуглецевими нанот- рубками. Концентрація трубок в РК була невисокою (< 0,5 ваг.%), щоб уникнути суттєвих порушень РК-орієнтації. Прикладання електричного поля призводило до переорієнтації РК з початкового гомеотропного у планарний стан. Встановлено, що, на відміну від чистого рідкого криста- лу, в допованім нанотрубками РК планарний стан, що досягається в полі, залишається після його вимкнення. Це супроводжується залишковим світлопропусканням або пам’яттю. Ефективність такої пам’яті немоно- тонно залежить від концентрації нанотрубок і є найбільшою для суспен- зій із вмістом нанотрубок в діяпазоні концентрацій 0,02—0,05 ваг.%, що відповідає перколяційному переходу із непровідного у провідний стан. Запропоновано модель електрооптичної пам’яті. Згідно з ним, нанотруб- ки формують у рідкім кристалі сітку аґреґатів, яка підтримує певний орі- єнтаційний стан. При переорієнтації рідкого кристалу в електричнім полі у планарний стан, сітка аґреґатів перебудовується і стабілізує цей стан. Формування сітчастої структури нанотрубок підтверджується додатко- вими експериментами.