Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Н. Т. ПОКЛАДОК, І. І. ГРИГОРЧАК, Д. І. ПОПОВИЧ, Я. М. БУЖУК, І. М. БУДЗУЛЯК
«Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками»
0009–0016 (2008)

PACS numbers: 71.20.Nr, 72.80.Ey, 73.40.Vz, 73.43.Qt, 73.50.Jt, 75.30.Vn, 75.70.Pa

Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля.