Збірник наукових праць Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Рік 2026 Том 24, Випуск 2
Завантажити повну версію статті (PDF, Англійською / In English) Відкритий доступ

Siham J. AL-FARIS1, Raghda TAREEQ Abdulateef2, Hamssa B. MOHAMMED3, та Raed Hashim AL-SAQA4

1College of Education for Pure Science, Department of Physics, University of Al-Hamdaniya, Al-Hamdaniya, Iraq
2College of Medicine, University of Mosul, Mosul, Iraq
3Science College, Techniques Department, University of Mosul, Mosul Iraq
4Directorate General of Education, Ministry of Education, Nineveh, Iraq

Evaluating of Some Elastic Properties for Nanosemiconductors Under High Pressure

565–573 (2026)

Індекси PACS: 05.70.Ce, 61.50.Ks, 62.20.de, 64.10.+h, 64.30.Jk, 65.80.+n, 82.60.Qr

Одержано 13 грудня 2024 р.; після доопрацювання — 17 травня 2026 р.

Пружні властивості деяких нанонапівпровідників, такі як модуль об'ємної пружности (B) й об'ємне розширення (V/V0) для CdSe (4,2 нм), γ-Al2O3 (67 нм), γ-Al2O3 (37 нм), CeO2 (кубічний флюорит, 15 нм), CeO2 (орторомбічна фаза, 15 нм), CuO (24 нм) і TiO2 (рутил, 10 нм), було досліджено під високим тиском для прогнозування впливу тиску на них за допомогою двох рівнянь стану, а саме, Бардінового та Томсенового рівнянь стану, та порівняно їх з експериментальними результатами з літератури. Дослідження доводить, що Бардінове рівняння стану є більш придатним та узгодженим для заданих нанорозмірних напівпровідників, аніж Томсенове рівняння стану.

КЛЮЧОВІ СЛОВА: нанонапівпровідники, рівняння стану, Бардінове рівняння, Томсенове рівняння, пружні властивості, γ-Al2O3, CeO2, CuO, TiO2, CdSe

Цитування:
Siham J. AL-Faris, Raghda Tareeq Abdulateef, Hamssa B. Mohammed, and Raed Hashim AL-Saqa, Evaluating of Some Elastic Properties for Nanosemiconductors Under High Pressure, Nanosistemi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 24, No. 2: 565–573 (2026); https://doi.org/10.15407/nnn.24.02.0565

Подяки:
Автори дякують Університету Мосула, Коледжу наук, кафедрі фізики та кафедрі відновлюваної енергетики, д-ру Талалу С. Хамееду (Ph.D., Університет природничих наук у Любліні) та п. Фарісу М. Альхамадані (MSc. Phys., Університет Ньюкасла (Велика Британія), «працює в Ніневійському медичному коледжі») за рецензування та виправлення граматики й мови дослідження.

ЛІТЕРАТУРА
  1. Nayem Hossain, Md Hosne Mobarak, Mariam Akter Mimona, Md Aminul Islam, Amran Hossain, Fatema Tuz Zohura, and Mohammad Asaduzzaman Chowdhury, Results in Engineering, 19: 101347 (2023); https://doi.org/10.1016/j.rineng.2023.101347
  2. Lijun Zhang, Yanchao Wang, Jian Lv, and Yanming Ma, Nature Reviews Materials, 2, No. 4: Article No. 17005 (2017); https://doi.org/10.1038/natrevmats.2017.5
  3. Gabriele Centi and Siglinda Perathoner, Microporous and Mesoporous Materials, 107, Iss. 1–2: 3 (2008); https://doi.org/10.1016/j.micromeso.2007.03.011
  4. Yuda Zhao, Kang Xu, Feng Pan, Changjian Zhou, Feichi Zhou, and Yang Chai, Advanced Functional Materials, 27, Iss. 19: 1603484 (2017); https://doi.org/10.1002/adfm.201603484
  5. Alfonso San-Miguel, Chemical Society Reviews, 35, Iss. 10: 876 (2006); http://dx.doi.org/10.1039/b517779k
  6. Sirwan Kareem, Mohammad Uonis, and Raed Alsaqa, International Journal of Thermodynamics, 26, Iss. 4: 41 (2023); https://doi.org/10.5541/ijot.1168781
  7. J. J. Bardeen, Chem. Phys., 6: 372 (1938); https://doi.org/10.1063/1.1750271
  8. Leon Thomsen, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 31, Iss. 9: 2003 (1970); https://doi.org/10.1016/0022-3697(70)90004-1
  9. Bijaya B. Karki, Lars Stixrude, and Renata M. Wentzcovitch, Reviews of Geophysics, 39, Iss. 4: 507 (2001); https://doi.org/10.1029/2000RG000088
  10. W. F. Zhang, Y. He, M. S. Zhang, Z. Yin, and Q. Chen, Journal of Physics D, 33, No. 8: 912 (2000); http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/33/8/305
  11. Francis Birch, J. Geophys. Res. Solid Earth, 91, Iss. B5: 4949 (1986); https://doi.org/10.1029/JB091iB05p04949
  12. Sukanta Karmakar, Surinder M. Sharma, P. V. Teredesai, and A. K. Sood, Physical Review B, 69, No. 16: 165414 (2004); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.165414
  13. Boris Kiefer, Sean R. Shieh, Thomas S. Duffy, and Toshimori Sekine, Physical Review B, 72, No. 1: 014102 (2005); http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.72.014102
  14. Sarah H. Tolbert and A. P. Alivisatos, The Journal of Chemical Physics, 102, No. 11: 4642 (1995); http://dx.doi.org/10.1063/1.469512
  15. R. T. Abdullateef, Sirwan Kareem Jalal, Raed Hashim Al-Saqa, and Anjani Kumar Pandy, Indian Journal of Physics, 99: 2885 (2025); https://doi.org/10.1007/s12648-024-03528-2
  16. B. Chen, D. Penwell, and M. B. Kruger, Solid State Communications, 115, Iss. 4: 191 (2000); http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(00)00160-5
  17. Jing Zhao, Lin Guo, Jing Liu, Yang Yang, Rong-Zheng Che, and Lei Zhou, Chinese Physics Letters, 17, No. 2: 126 (2000); doi:10.1088/0256-307X/17/2/018
  18. Mahmood M. Saleh, Hamadi Khemakhem, Ishmael K. Jassim, and Raed Hashim Al-Saqa, Ochrona przed Korozją, 10, No. 1: 9 (2024); doi:10.15199/40.2024.1.2