2Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 60, 01601 Київ, Україна
3Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», просп. Берестейський, 37, 03056 Київ, Україна
Молекулярно-динамічне моделювання впливу температури та швидкости деформації на міцність карбін-графенових наноелементів
999–1013 (2025)
PACS numbers: 31.15.xv, 34.20.Cf, 36.40.Qv, 61.48.-c, 62.25.Mn, 81.05.U-, 85.85.+j
Отримано 16 липня 2025 р.
Наведено результати молекулярно-динамічного моделювання впливу температури та швидкости деформації на міцність карбін-графенових наноелементів (КГН), які складаються із графенових листів, з'єднаних карбіновими ланцюжками. Для моделювання використано новітній «Machine Learning» АСЕ-потенціял. Встановлено, що міцність КГН контролюється міцністю контактних зв'язків, які з'єднують карбіновий ланцюжок з графеновими листами, а процес руйнування їх має термоактиваційний характер. Показано, що в напівлогаритмічних координатах міцність КГН лінійно зростає зі збільшенням швидкости деформації; водночас чутливість міцности до швидкости деформації зростає зі зростанням температури. За T = 900 К збільшення швидкости деформації на два порядки зумовлює зростання міцности на 6,5%. Зростання температури за постійної швидкости деформації спричинює зменшення міцности КГН. За швидкости деформації у 7,8·106 c-1 зменшення міцности КГН в інтервалі температур 3–900 К не перевищує 20%. Це набагато менше величини відповідного ефекту для металевих нанодротів. Низька чутливість міцности КГН щодо температури та швидкости деформації обґрунтовує ефективність використання їх в якості елементів стрейнтроніки.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: карбін, графен, карбін-графенові наноелементи, контактний зв'язок, низькорозмірна наноструктура, міцність
ЛІТЕРАТУРА
- F. Ben Romdhane, J.-J. Adjizian, J.-C. Charlier, and F. Banhart, Carbon, 122: 92 (2017); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2017.06.039
- S. G. Sarwat, P. Gehring, G. R. Hernandez, J. H. Warner, G. A. D. Briggs, J. A. Mol, and H. Bhaskaran, Nano Letters, 17, Iss. 6: 3688 (2017); https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00909
- O. Cretu, A. R. Botello-Mendez, I. Janowska, C. Pham-Huu, J.-C. Charlier, and F. Banhart, Nano Letters, 13, Iss. 8: 3487 (2013); https://doi.org/10.1021/nl4018918
- L. Shen, M. Zeng, S. Yang, C. Zhang, X. Wang, and Y. Feng, J. Am. Chem. Soc., 132, Iss. 33: 11481 (2010); https://doi.org/10.1021/ja909531c
- A. La Torre, A. Botello-Mendez, W. Baaziz, J.-C. Charlier, and F. Banhart, Nat. Commun., 6: 6636 (2015); https://doi.org/10.1038/ncomms7636
- Z. Zhang, J. Zhang, G. Kwong, J. Li, Z. Fan, X. Deng, and G. Tang, Sci. Rep., 3: 2575 (2013); https://doi.org/10.1038/srep02575
- E. Gao, Y. Guo, Z. Wang, O. Nielsen, and R. H. Baughman, Matter, 5, Iss. 4: 1192 (2022); https://doi.org/10.1016/j.matt.2022.01.021
- M. Liu, V. Artyukhov, H. Lee, F. Xu, and B. Yakobson, ACS Nano, 7, Iss. 11: 10075 (2013); https://doi.org/10.1021/nn404177r
- Y. He, H. Xu, G. Ouyang, and G. Yang, Results in Physics, 34: 105311 (2022); https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.105311
- T. Chen and Y. Luo, Monthly Notices of the Royal Astronomical Society, 486, Iss. 2: 1875 (2019); https://doi.org/10.1093/mnras/stz1014
- E. Kano, M. Takeguchi, J. Fujita, and A. Hashimoto, Carbon, 80: 382 (2014); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.08.077
- S. Jeevanandham, D. Kochhar, O. Agrawal, S. Pahari, C. Kar, T. Goswami, I. Sulania, and M. Mukherjee, Nanoscale Advances, 6: 2390 (2024); https://doi.org/10.1039/d4na00076e
- H. Zhao and N. R. Aluru, J. Appl. Phys., 108: 064321 (2010); https://doi.org/10.1063/1.3488620
- Y. Wang, X.-J. Ning, X.-Z. Lin, and P. L. J. Zhuang, Phys. Rev. B, 76: 165423 (2007); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.165423
- R. Mirzaeifar, Z. Qin, and M. J. Buehler, Nanotechnology, 25: 371001 (2014); https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/37/371001
- S. Kotrechko, N. Stetsenko, and E. Kolyvoshko, Solid State Phenomena, 258: 286 (2017); https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.258.286
- X. Yang, Y. Huang, B. Cao, and A. C. To, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 93: 124 (2017); https://doi.org/10.1016/j.physe.2017.06.006
- R. Drautz, Phys. Rev. B, 99: 014104 (2019); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.99.014104
- M. Qamar, M. Mrovec, Y. Lysogorskiy, A. Bochkarev, and R. Drautz, arXiv: 2210.09161 [cond-mat.mtrl-sci] (2023); https://doi.org/10.48550/arXiv.2210.09161
- A. P. Thompson et al., Computer Physics Communications, 271: 108171 (2022); https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108171
- Y. Lysogorskiy, C. van der Oord, A. Bochkarev, S. Menon, M. Rinaldi, T. Hammerschmidt, M. Mrovec, A. Thompson, G. Csányi, C. Ortner, and R. Drautz, npj Comput Mater., 7: 97 (2021); https://doi.org/10.1038/s41524-021-00559-9
- A. Timoshevskii, S. Kotrechko, Y. Matviychuk, and E. Kolyvoshko, Handbook of Graphene. Ab Initio Design of 2D and 3D Graphene-Based Nanostructure (Wiley: 2019), Ch. 6; https://doi.org/10.1002/9781119468455.ch58
- W. G. Hoover and B. L. Holian, Physics Letters A, 211, Iss. 5: 253 (1996); https://doi.org/10.1016/0375-9601(95)00973-6
- M. Zhou, Proc. R. Soc. Lond. A, 459, Iss. 2037: 2347 (2003); https://doi.org/10.1098/rspa.2003.1127
- S. N. Zhurkov, Int. J. Fract. Mech., 1: 311 (1965); https://doi.org/10.1007/BF00962961
- S. Kotrechko, O. Ovsiannikov, N. Stetsenko, I. Mikhailovskij, T. Mazilova, and M. Starostenkov, Philosophical Magazine, 95, Iss. 6: 473 (2016); https://doi.org/10.1080/14786435.2016.1140913
- A. Timoshevskii, S. Kotrechko, and Y. Matviychuk, Phys. Rev. B, 91: 245434 (2015); https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.245434