Перейти на головну сторінку журналу

Випуски

 / 

2025

 / 

том 23 / 

випуск 2

 



Завантажити повну версію статті (в PDF форматі)

Atyaf S. AL RAWAS1, Enas G. YONIS1, and A. J. JARJEES ALSOOFY2

1College of the Dentistry, Department of the Basic Science, Mosul University, Mosul, Iraq
2College of Science, Department of Physics, Mosul University, Mosul, Iraq


Study of Characteristics of Semiconductor GaAs Nanoparticles Prepared by Laser Ablation Method

515–521 (2025)

PACS numbers: 07.60.Rd, 78.20.Ci, 78.40.Fy, 78.67.Bf, 79.20.Eb, 81.16.Mk, 82.70.Dd

Наночастинки арсеніду Ґалію GaAs було одержані у воді методом лазерної абляції. Оптичні властивості й енергетичну заборонену зону колоїдного розчину було досліджено за допомогою УФ-оптичного спектрометра; піки вбирання було спостережено в діяпазоні довжин хвиль від 200 до 300 нм, а енергетичну заборонену зону було розраховано приблизно у 1,86 еВ. Значення дзета-потенціялу становило приблизно 22,18 мВ, що створює враження прийнятної стабільности колоїдного розчину.

КЛЮЧОВІ СЛОВА: арсенід Ґалію GaAs, лазерна абляція, дзета-потенціял, оптичні властивості GaAs


REFERENCES
  1. J. Kleperis, J. Zubkans, and A. R. Lusis, Optical Organic and Semiconductor Inorganic Materials, 2968: 186 (1997); https://doi.org/10.1117/12.266832
  2. S. Bayda, M. Adeel, T. Tuccinardi, M. Cordani, and F. Rizzolio, Molecules, 25, Iss. 1: 112 (2020); https://doi.org/10.3390/molecules25010112
  3. D. Sundaram, V. Yang, and R. A. Yetter, Progress in Energy and Combustion Science, 61: 293 (2017); https://doi.org/10.1016/j.pecs.2017.02.002
  4. J. Zhang, M. Terrones, C. R. Park, R. Mukherjee, M. Monthioux, N. Koratkar, and A. Bianco, Carbon, 98, Iss. 70: 708 (2016); https://doi.org/10.1016/j.carbon.2015.11.060
  5. P. A. Patil, S. Dalvi, V. Dhaygude, and S. D. Shete, Indo Global Journal of Pharmaceutical Sciences, 12: 183 (2022); https://doi.org/10.35652/IGJPS.2022.12022
  6. M. Kichu, T. Malewska, K. Akter, I. Imchen, D. Harrington, J. Kohen, and J. F. Jamie, Journal of Ethnopharmacology, 166: 5 (2015); https://doi.org/10.1016/j.jep.2015.02.053
  7. A. Ramazan and H. Misak, Journal of Nano Education, 3, Iss. 1–2: 13 (2011); https://doi.org/10.1166/jne.2011.1012
  8. L. M. Abduljabbar, Iraqi Journal of Laser, 13: 29 (2014); https://doi.org/10.31900/ijl.v13iA.71
  9. T. Sharifi, D. Dorranian, and M. J. Torkamany, Journal of Experimental Nanoscience, 8, Iss. 6: 808 (2013); https://doi.org/10.1080/17458080.2011.608729
  10. K. Satoh, Y. Kakehi, A. Okamoto, S. Murakami, K. Moriwaki, and T. Yotsuya, Thin Solid Films, 516, Iss. 17: 5814 (2008); https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.055
  11. T. Amakali, L. S. Daniel, V. Uahengo, N. Y. Dzade, and N. H. de Leeuw, Crystals, 10: 132 (2020); https://doi.org/10.3390/cryst10020132
  12. R. H. AL-Saqa and I. K. Jassim, Digest Journal of Nanomaterials & Biostructures, 18, No. 1: 165 (2022); https://doi.org/10.15251/DJNB.2023.181.165
  13. S. Ajith, F. Almomani, A. Elhissi, and G. Husseini, Helyion, 20, Iss. 9: 1 (2023); https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2023.e21227
Creative Commons License
Ця стаття ліцензована за Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License
©2003 НАНОСИСТЕМИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України.

E-mail: tatar@imp.kiev.ua Телефони та адреса редакції Про збірник Угода користувача