 |
|||||||||
 |
2019, том 17, выпуск 3 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2019/том 17 /выпуск 3 |
Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. S. Zvizlo, and D. S. Leonov
«Influence of the Obtaining Conditions on the Photoconductivity of Thin \(\beta-Ga_2O_3\) Films»
0483–0490 (2019)
PACS numbers: 61.72.jd, 68.55.J-, 73.50.Pz, 73.61.Ng, 78.55.-m, 81.15.Gh, 81.40.Tv
Исследована фотопроводимость тонких плёнок \(\beta-Ga_2O_3\), полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления, в зависимости от условий получения. Установлено, что наибольшая величина тока фотопроводимости наблюдается в свеженанесённых плёнках и уменьшается при восстановлении плёнок в атмосфере водорода, при отжиге в атмосфере аргона и особенно кислорода. Проведён анализ спектрального смещения максимума спектра возбуждения фотопроводимости в зависимости от атмосферы термообработки.
Keywords: gallium oxide, thin films, photoconductivity
References
1. K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 88, No. 9: 092106 (2006). https://doi.org/10.1063/1.21793732. N. D. Cuong, Y. W. Park, and S. G. Yoon, Sensors and Actuators B, 140, No. 1: 240 (2009). https://doi.org/10.1016/j.snb.2009.04.020
3. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 77, No. 25: 4166 (2000). https://doi.org/10.1063/1.1330559
4. J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, and E.-Q. Xie, Chinese Phys. Lett., 25, No. 10: 3787 (2008).
5. Y. Tokida and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., 52, No. 10R: 101102 (2013). https://doi.org/10.7567/JJAP.52.101102
6. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, and J. F. Muth, Mater. Sci. Eng. B, 146: 252 (2008).
7. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, and T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys., 39, No. 6A: L524 (2000). https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L524
8. O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, and V. B. Lushchanets, J. Appl. Spectrosc., 81, No. 5: 771 (2014). https://doi.org/10.1007/s10812-014-0004-9
9. S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary IV, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer, and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, No. 1: 011301 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5006941
10. I. B. Vendik, A. N. Ermolenko, V. V. Esipov, B. M. Pchelkin, and M. F. Sitnikova, Zhurn. Tekhn. Fiz., 58, No. 12: 2323 (1988) (in Russian).
11. W. Sinkler, L. D. Marks, D. D. Edwards, T. O. Mason, K. R. Poeppelmeier, Z. Hu, and J. D. Jorgensen, J. Solid State Chem., 136, No. 1: 145 (1998). https://doi.org/10.1006/jssc.1998.7804
12. V. I. Vasyltsiv, Ya. I. Rym, and Ya. M. Zakharko, phys. status solidi (b), 195, No. 2: 653 (1996). https://doi.org/10.1002/pssb.2221950232
13. V. V. Tokii, V. I. Timchenko, and V. A. Soroka, Phys. of Sol. State, 45, No. 4: 600 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1568996
14. T. V. Blank and Yu. A. Gol dberg, Semiconductors, 41, No. 11: 1281 (2007). https://doi.org/10.1134/S1063782607110012
15. O. M. Bordun, V. G. Bihday, and I. Yo. Kukharskyy, J. Appl. Spectrosc., 80, No. 5: 721 (2013). https://doi.org/10.1007/s10812-013-9832-2
16. L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids, 59, No. 8: 1241 (1998). https://doi.org/10.1016/S0022-3697(98)00047-X
17. K. Shimamura, E. G. V llora, T. Ujiie, and K. Aoki, Appl. Phys. Lett., 92, No. 20: 201914 (1) (2008). https://doi.org/10.1063/1.2910768
18. G. Guzman-Navarro, M. Herrera-Zaldivar, J. Valenzuela-Benavides, and D. Maestre, J. Appl. Phys., 110, No. 3: 034315 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3620986
19. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, and I. I. Medvid, J. Appl. Spectrosc., 84, No. 1: 46 (2017). https://doi.org/10.1007/s10812-017-0425-3
20. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, and I. Yo. Kukharskyy, Acta Physica Polonica, 134, No. 4: 910 (2018). https://doi.org/10.12693/APhysPolA.133.910
21. O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, and V. B. Lushchanets, Phys. and Chem. of Sol. State, 16, No. 2: 302 (2015). https://doi.org/10.15330/pcss.16.1.74-78
22. S. K. Sampath and J. F. Cordaro, J. Am. Ceram. Soc., 81, No. 3: 649 (1998). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1998.tb02385.x
23. F. Litimein, D. Rached, R. Khenata, and H. Baltache, J. Alloys Comp., 488, No. 1: 148 (2009). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.08.092
24. M. Michling and D. Schmei er, IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 34: 012002 (2012). https://doi.org/10.1088/1757-899X/34/1/012002
25. H. H. Tippins, Phys. Rev., 140, No. 1A: A316 (1965). https://doi.org/10.1103/PhysRev.140.A316
 Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная © НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, 2019 © O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. S. Zvizlo, and D. S. Leonov, 2019 Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение |