 |
|||||||||
 |
2019, том 17, выпуск 3 |
|
|||||||
|
|||||||||
Выпуски/2019/том 17 /выпуск 3 |
M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, V. V. Brus,, P. D. Maryanchuk
«Influence of Nanostructurization of the Silicon on the Electrical and Photoelectrical Properties of Schottky Diodes Ni/n-Si»
0491–0506 (2019)
PACS numbers: 71.55.Gs, 72.80.Ey, 73.20.Hb, 73.30.+y, 73.40.Gk, 73.40.Lq, 85.60.Bt
В данной работе представлены результаты исследований физических свойств планарных и наноструктурированных диодов Шоттки Ni/n-Si, изготовленных путём нанесения тонких плёнок Ni на планарные и наноструктурированные подложки кремния методом магнетронного распыления при постоянном напряжении. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных диодов Шоттки Ni/n-Si и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях. Установлено, что для планарных диодов Шоттки Ni/n-Si при прямых смещениях в области напряжений 3kT/e???V???0,1 В доминирующим механизмом является надбарьерная эмиссия, а в области напряжений V???0,1 В — туннельный механизм токопереноса; для наноструктурированных диодов Шоттки Ni/n-Si в области начальных прямых смещений доминирующим является эмиссионно-рекомбинационный механизм токопереноса, а в области напряжений V???0,2 В — туннельный механизм токопереноса. При обратных смещениях для планарных и наноструктурированных диодов Шоттки Ni/n-Si доминирующим механизмом токопереноса является туннелирование. Предложен новый метод определения активной площади наноструктурированных поверхностно-барьерных структур. Определено значение сопротивления обеднённой области и барьерной ёмкости исследуемых структур. Установлено, что исследуемые диоды Шоттки Ni/n-Si можно успешно использовать как фотодиоды в фотодиодном режиме работы.
Keywords: nickel, thin film, silicon, nanostructures, Schottky diode, current transport mechanisms
References
1. I. Q. Pashaev, Semiconductors, 46: 1085 (2012). https://doi.org/10.1134/S10637826120801552. E. Ozerden, Y. S. Ocak, A. Tombak, T. Kilicoglu, and A. Turut, Thin Solid Films, 597: 14 (2015). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.11.013
3. I. Jyothi, V. Janardhanam, H. Hong, and Ch.-J. Choi, Materials Science in Semiconductor Processing, 39: 390 (2015). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.05.043
4. W. Filali, N. Sengouga, S. Oussalah, R. H. Mari, D. Jameel, N. A. Al Saqri, M. Aziz, D. Taylor, and M. Henini, Superlattices and Microstructures, 111: 1010 (2017). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.07.059
5. X. Shen, B. Sun, D. Liu, and S.-T. Lee, J. Am. Chem. Soc., 133, No. 48: 19408 (2011). https://doi.org/10.1021/ja2071237
6. M. M. Solovan, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Maryanchuk, I. G. Orletskyi, T. T. Kovaliuk, and S. L. Abashin, Semiconductors, 51: 542 (2017). https://doi.org/10.1134/S1063782617040200
7. M. M. Solovan, J. Nano- Electron. Phys., 10, No. 2: 02030 (2018). https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02030
8. X. Zhang, D. Hu, Z. Tang, and D. Ma, Applied Surface Science, 357: 1939 (2015). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.09.146
9. J. Oh, H.-Ch. Yuan, and H. M. Branz, Nature Nanotechnology, 7: 743 (2012). https://doi.org/10.1038/nnano.2012.166
10. A. I. Mostovyi, V. V. Brus, and P. D. Maryanchuk, Semiconductors, 47: 799 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063782613060171
11. B. L. Sharma and R. K. Purohit, Semiconductor Heterojunctions (Oxford–New York: Pergamon Press: 1974). https://doi.org/10.1016/B978-0-08-017747-2.50005-8
12. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices. 3rd Ed. (Eds. S. M. Sze and K. Kwok) (New Jersey: Wiley: 2007), p. 815.
13. V. V. Brus, Semicond. Sci. Technol., 27: 035024 (2012). https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/3/035024
14. V. V. Brus, Semiconductors, 46: 1012 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612080040
 Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная © НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, 2019 © M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, V. V. Brus,, P. D. Maryanchuk, 2019 Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение |