Выпуски

 / 

2017

 / 

том 15 / 

выпуск 4

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

G. P. Malanych and V. M. Tomashyk
«Influence of the Viscosity Modifier in H2O2–HBr–Ethylene Glycol Solutions on the Chemical Etching of PbTe Single Crystals and Pb1?xSnxTe Solid Solutions»
0637–0647 (2017)

PACS numbers: 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 77.84.Bw, 81.05.Hd, 81.65.Cf, 81.65.Ps

Робота посвящена исследованию взаимодействия монокристаллических пластин PbTe и твёрдых растворов Pb1?xSnxTe с бромвыделяющими травителями (H2O2–HBr–этиленгликоль)/этиленгликоль (ЭГ), разработке и оптимизации травильных композиций, а также методик их химической обработки для формирования высококачественной поверхности. Изучены зависимости скоростей химико-механического (ХМП) и химико-динамического (ХДП) полирования от разбавления базового полирующего травителя органическим компонентом. Определён характер растворения исследуемых материалов в растворах (H2O2–HBr–ЭГ)/ЭГ, построены графические зависимости «состав травителя–скорость травления» и установлены концентрационные границы областей полирующих и неполирующих растворов. Показано, что увеличение количества ЭГ в составе травильной смеси уменьшает скорость травления (ХМП) полупроводниковых подложек PbTe и твёрдых растворов Pb1?xSnxTe от 185,0 до 23,0 мкм/мин и улучшает полирующие свойства травильных композиций H2O2–HBr–ЭГ. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (60 об.%). Микроструктурным и профилографическим анализами установлено влияние количественного и качественного состава травителей, а также способов химической обработки на параметры шероховатости поверхностей PbTe и твёрдых растворов Pb1?xSnxTe. Установлено, что ХМП монокристаллических полупроводников растворами состава H2O2–HBr–ЭГ способствует уменьшению структурных нарушений подложек и получению качественной полированной поверхности. Оптимизированы составы полирующих травильных композиций (H2O2–HBr–ЭГ)/ЭГ и технологические режимы ХМП и ХДП для снятия нарушенного слоя, быстрого контролированного утонения пластины до заданной толщины, снятия тонких плёнок и финишного полирования поверхности, монокристаллических образцов PbTe и твёрдых растворов Pb1?xSnxTe.

©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение