Выпуски

 / 

2017

 / 

том 15 / 

выпуск 3

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

I. V. Levchenko, I. B. Stratiychuk, V. M. Tomashyk, G. P. Malanych, A. S. Stanetska, A. A. Korchovyi
«Influence of the C6H8O7 Concentration Change on the Chemical Interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with the Etching (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 Solutions»
0495–0506 (2017)

PACS numbers: 61.72.uj, 68.35.bg, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 81.65.Cf, 81.65.Ps, 82.65.+r

В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 с использованием C6H8O7 разной исходной концентрации. Установлено, что исследуемые бромвыделяющие смеси характеризуются низкими скоростями травления. Проведён сравнительный анализ влияния изменения состава травильных растворов с разной исходной концентрацией лимонной кислоты на параметры химического взаимодействия кристаллов с травителями и качество получаемой поверхности. Установлено, что увеличение концентрации C6H8O7 в составе травителя способствует уменьшению скорости растворения полупроводников от 7,5 мкм/мин до 0,1 мкм/мин. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (80 об.%), независимо от его исходной концентрации. Сравнительный анализ экспериментальных результатов свидетельствует о том, что травители на основе (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 с 20% исходной концентрацией C6H8O7 (по сравнению с 40%) характеризуются большими скоростями травления и могут быть использованы для качественной финишной обработки кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb. Установлено, что расположение областей полирующих и неполирующих травильных композиций не зависит от изменения исходной концентрации лимонной кислоты. Полирующая область находится в пределах 2–22 об.% (NH4)2Cr2O7, 10–98 об.% HBr и 0–80 об.% лимонной кислоты для InAs и GaAs, а для кристаллов InSb и GaSb — 2–19 об.% (NH4)2Cr2O7, 10–98 об.% HBr, 0–80 об.% C6H8O7. Область неполирующих растворов присуща только антимонидам. Показано, что полирование травителями состава (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 с использованием 20% C6H8O7 эффективнее уменьшает структурные нарушения полупроводников.

©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.
Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение