Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Р. Я. Кудрик
«Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN»
0449–0457 (2015)

PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx

Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ??4?1017 см?3 на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al2O3. Исследована температурная зависимость ВАХ в пределах 80–600 К. Токоперенос в интервале температур 80–340 К осуществляется по туннельному механизму. В области температур 420–600 К доминирующим является термоэлектронный механизм токопереноса. В области 340–420 К оба механизма токопереноса преобладают на разных участках ВАХ. Высота барьера, определённая из ВФХ, хорошо согласуется с высотой барьера, определённой экстраполяцией к n???1 температурной зависимости эффективной высоты барьера, полученной из ВАХ, и составляет 1 эВ. Наблюдаемый туннельный механизм токопереноса связан с шунтирующими дислокациями, которые пересекают область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций, сделанная на основе этого предположения, хорошо согласуется с результатами рентгенодифракционного исследования данных плёнок.