Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

S. E. Bogdanov, G. Beddies, M. Daniel and Yu. N. Makogon
«Diffusion Processes in Ti–Si Systems during Silicide Formation»
0295–0302 (2013)

PACS numbers: 66.30.Pa, 68.55.-a, 73.61.At, 81.15.Cd, 81.15.Jj, 81.40.Rs, 85.40.-e

Рассмотрены два метода формирования стабильной фазы TiSi2(C54). Изучено формирование структуры наноразмерных плёнок TiSi2(C54) на монокристаллическом кремнии. Показано, что формирование TiSi2(C54) происходит быстрее (??55 с) при помощи низкоэнергетического термоионного осаждения (НТИО) Ti на монокристаллический Si, чем магнетронным напылением с последующим отжигом (150 с и более). Установлено, что величина электрического сопротивления для наноразмерной плёнки TiSi2(C54), полученной при помощи НТИО, составляет ?v???13,5 ?Ом?см, а при магнетронном напылении и последующем отжиге — ?v???24 ?Ом?см. Предложена феноменологическая модель для формирования дисилицида титана на монокристаллическом кремнии при НТИО титана.