Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

C. П. Репецкий, А. Г. Наконечный, Б. В. Стащук
«Теория спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями »
0963–0985 (2009)

PACS numbers: 71.10.Fd, 71.20.Be, 71.27.+a, 72.10.Bg, 72.15.Qm, 72.25.Ba, 75.10.-b

Получено выражение для двухчастичной функции Грина (электропроводности) магнитных кристаллов с сильными электронными корреляциями. Учитываются процессы рассеяния электронов на флуктуациях спиновой и электронной плотностей. Электронные состояния описываются в рамках многозонной модели сильной связи. Расчеты базируются на диаграммной технике для температурных функций Грина. Получено кластерное разложение для двухчастичной функции Грина. За нулевое одноузельное приближение в кластерном разложении выбирается приближение когерентного потенциала. Показано, что вклады процессов рассеяния электронов на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере по некоторому малому параметру. На примере кристалла железа исследованы условия возникновения спин-зависимого транспорта в системах с сильными электронными корреляциями.