Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Д. С. Орлова, Е. И. Рогачева
«Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром »
0487–0493 (2009)

PACS numbers: 72.20.My, 73.43.Qt, 73.50.Jt, 73.61.At, 73.63.Bd, 81.07.Bc, 81.15.Ef

Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основе анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнетосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат.% Te в интервале значений магнитной индукции 0,1–1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты могут быть использованы при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов.