Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

T. Yu. BILYK, O. M. SHMYREVA, and M. M. MEL’NYCHENKO
«Technological Methods for Control of Nanostructured Silicon Properties »
0395–0402 (2009)

PACS numbers: 78.55.Mb, 78.67.Rb, 81.07.Bc, 81.40.Tv, 81.65.Cf, 85.60.Dw, 85.60.Gz

При формировании наноструктурированного кремния на подложках монокристаллического кремния происходит изменение не только структурных свойств, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны и проявлению квантово-размерных эффектов, но и к возникновению на поверхности новых соединений кремния с повышенным содержанием водорода и аморфного кремния. Такая сложная структура приводит к проявлению новых электрофизических, фотоэлектрических, теплофизических и фотолюминесцентных свойств, что позволяет создавать новые типы полупроводниковых приборов, в частности, фотоприемники коротковолновой части спектра. Целью данной работы является дальнейшее изучение технологических методов управления функциональными свойствами наноструктурированного кремния с применением новых составов травителей.