Выпуски

 / 

2020

 / 

том 18 / 

выпуск 3

 



Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

S. I. Pokutnyi
«Spatially Indirect Excitons’ Spectroscopy in Germanium Quantum Dots»
663–668 (2020)

PACS numbers: 71.35.Ee, 73.20.Mf, 73.21.La

Показано, що врахування відцентрової енергії в Гамільтоніяні екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається у квантовій точці германію, а електрон локалізується над сферичною поверхнею поділу квантова точка–матриця кремнію) приводить до появи квазистаціонарних станів у зоні поверхневих екситонних станів, які з ростом радіюса квантової точки переходять у стаціонарні стани. Встановлено, що спектри міжзонного поглинання наносистеми складаються з енергетичних зон, утворених електронними переходами між квазистаціонарними та стаціонарними станами, а спектри внутрішньозонного поглинання складаються із зон, які формуються електронними переходами між стаціонарними станами.

Keywords: indirect excitons, quasi-stationary states, quantum dots


References
1. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechensky, and A. I. Nikiforov, JETP Lett., 73,No. 10: 529 (2001); https://doi.org/10.1063/1.5049165.
2. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechensky, and N. P. Stepina, JETP, 92, No. 3:500 (2001); https://doi.org/10.1134/1.1364747.
3. J. V. Smagina, A. V. Dvurechensky, and V. A. Seleznev, Semiconductors,49, No. 6: 749 (2015); https://doi.org/10.1134/S1063782615060238.
4. S. I. Pokutnyi, Semiconductors, 41, No. 11: 1323 (2007); https://doi.org/10.1134//S1063782607110097.
5. S. I. Pokutnyi, Low Temp. Phys., 42, No. 12: 1151 (2016); https://doi.org/10.1063/1.4973506.
6. S. I. Pokutnyi, Low Temp. Phys., 44, No. 8: 819 (2018); https://doi.org/10.1063/1.5049165.
7. S. I. Pokutnyi, Semiconductors, 47, No. 6: 791 (2013); https://doi.org/10.1134/S1063782613060225.
8. S. I. Pokutnyi, Technical Physics Letters, 39, No. 3: 233 (2013);668 S. I. POKUTNYI https://doi.org/10.1134/S1063785013030139.
9. V. P. Dzyuba, S. I. Pokutnyi, and Y. N. Kulchin, J. Phys. Chem. C, 123,No. 42: 26031 (2019); https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.9b08892.
10. S. I. Pokutnyi, Semiconductors, 53, No. 16: 1 (2019); https://doi.org/10.1134/S1063782619120212.
Creative Commons License
Все статьи доступны по Лицензии Creative Commons “Attribution-NoDerivatives” («атрибуция — без производных статей») 4.0 Всемирная
©2003—2021 НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины.

Электронная почта: tatar@imp.kiev.ua Телефоны и адрес редакции О сборнике Пользовательское соглашение