Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. J. Kukharskyy, I. I. Medvid, Zh. Ya. Tsapovska, D. S. Leonov
«Structure and Electrical Conductivity of the Thin b-Ga2O3 Films»
0299–0308 (2017)

PACS numbers: 61.05.cp, 61.72.J-, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.55.J-, 72.20.-i, 81.15.Cd

Исследованы структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок β-Ga\(_2\)O\(_3\), полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Установлено, что свеженанесённые плёнки формируются из кристаллитов, средний диаметр которых составляет 30 нм. Отжиг в атмосфере кислорода, аргона и водорода приводит к увеличению среднего диаметра кристаллитов до 47, 42 и 35 нм соответственно. Исследована проводимость полученных плёнок в зависимости от атмосферы термообработки. Показано, что после отжига в восстановительной атмосфере водорода происходит значительное уменьшение удельного сопротивления плёнок от 1011 Ом?см для свеженанесённых плёнок до 106 Ом?см.