Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, and M. I. Klapchuk
«F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, and M. I. Klapchuk»
0403–0414 (2015)

PACS numbers: 71.20.Tx, 77.84.-s, 81.07.Pr, 81.16.Fg, 82.75.-z, 84.32.Tt, 84.37.+q

Сформированы интеркалянтные наноструктуры InSe?htd? и GaSe?htd?. Для первой наноструктуры визуализированы эффекты отрицательной фотоёмкости и квантовой ёмкости. Внедрение гистидина между слоями селенида индия приводит к росту анизотропии электропроводности ?||/?? от 67 до 226. Температурные зависимости реальной составляющей комплексного импеданса свидетельствуют о полупроводниковом механизме проводимости вдоль слоёв с двумя энергиями активации — 1,6 мэВ в низкотемпературной и 0,25 мэВ в высокотемпературной областях. Для второй наноструктуры наблюдаются 20-кратный рост фоточувствительности и появление гигантского высокочастотного отрицательного магнетосопротивления. Анизотропия электропроводности ?||/?? наноструктуры GaSe<htd> составляет 102. Температурная зависимость реальной составляющей комплексного импеданса вдоль слоёв в температурных областях ?30?C???t???10?C, 10?C???t???30?C, 30?C???t???50?C демонстрирует кардинально отличающиеся механизмы электропроводности. Энергии активации составляют 0,35 в низкотемпературном и 0,69 в высокотемпературном интервалах. При температурах 10?C???t???30?C наблюдается неактивационный механизм электропроводности. Для двух наноструктур приведены значения параметров зонного спектра до и после внедрения гистидина, вычисленные по теории Джеболла–Поллака, которые хорошо коррелируют с полученными экспериментальными данными.