Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Р. М. Балабай
«Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів»
0847–0857 (2012)

PACS numbers: 71.15.Dx, 71.15.Mb, 71.15.Pd, 71.18.+y, 71.20.Nr, 71.55.Gs, 81.65.Rv

При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1?xTe (х???0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdхHg1?xTe (х???0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают плёнку CdхHg1?xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоёв CdTe та CdхHg1?xTe (х???0,2), а также ZnS и CdхHg1?xTe (х???0,2).