Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
І. М. Мудрак, Л. П. Сторожук, С. М. Махно, П. П. Горбик
«Електрофізичні та теплофізичні властивості наносистеми із структурою «ядро–оболонка» AgI/SiO2»
0819–0827 (2012)
PACS numbers: 62.23.Pq, 65.80.-g, 66.30.hd, 66.30.Qa, 72.60.+g, 72.80.Tm, 73.40.Qv
Исследованы электрофизические и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO2 со структурой «ядро–оболочка» (размер ядра AgI???40 нм) в диапазоне температур 300–450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5–15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового ?????-перехода йодида серебра из диэлектрического в суперионное состояние и толщиной оболочки SiO2. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO2 на порядок величины выше, чем йодида серебра в ?-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от толщины оболочки SiO2.
|