Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Г. Г. Горох, Д. В. Соловей, В. А. Лабунов, В. И. Осинский*, Д. О. Мазунов*
«Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si »
0913–0923 (2011)

PACS numbers: 68.37.Hk, 68.55.J-, 78.60.Hk, 78.66.Fd, 78.67.Rb, 81.05.Rm, 81.40.Tv

Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалён-ным барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах анодного окси-да алюминия характеризуются кристаллографической неполярной ?-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные харак-теристики.