Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

A. D. Pogrebnyak, N. Y. Jamil*, and A. K. M. Muhammed
«Simulation Study of n-ZnO/p-Si Heterojunction Solar Cell»
0819–0830 (2011)

PACS numbers: 42.70.-a, 72.40.+w, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 84.60.Jt, 88.40.H-, 88.40.J-

В данной работе программа моделирования SCAPS-10 используется для изучения структуры n-ZnO/p-Si-гетероперехода солнечных элементов. Эта программа предназначена в основном для модели-рования и изучения свойств фотонных устройств. Мы исследовали важные контролируемые параметры дизайна, влияющие на работу р–n-перехода солнечных элементов, такие как рабочая темпера-тура, поскольку мы обнаружили повышение характеристики J–V за счёт увеличения Т, изучили влияние толщины каждого слоя на эф-фективность солнечного элемента и увидели повышение J–V-характеристики с увеличением толщины р-слоя. В примере с опти-мальными параметрами толщины слоя р???3 мм, n???3 мм, Na???Nd???1019 при 300 К мы получили такие результаты: ????5,83%, Voc???0,589 V, JSC???12,451 мкА/см2; в данном случае мы подобрали оптимальные параметры для достижения максимальной производительности это-го типа гетеропереходов и сделали сравнение с практической n-ZnO/p-Si-ячейкой солнечного элемента.