Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Ф. Ф. Комаров, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, А. Ф. Комаров, А. В. Мудрый*, Б. С. Дунец
«Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А3В5 в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники.»
0355–0363 (2011)

PACS numbers: 61.72.uj, 68.37.Lp, 78.30.Fs, 78.55.Cr, 79.20.Rf, 81.07.Bc, 81.40.Wx

Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантаци-онных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионносинтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длитель-ности последующего отжига удаётся сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2–80 нм и создать различную концентра-цию и форму глубинных распределений вторичных дефектов струк-туры. Последний фактор обусловливает появление линий дислока-ционной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ.