Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко
«Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками.»
0343–0353 (2011)

PACS numbers: 72.20.Jv, 72.40.+w, 73.21.La, 73.50.Pz, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 79.10.Ca

В гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs с цепочками квантовых точек исследованы свойства латерального фототока, вызванного оптической перезарядкой центров электронной локализации. В кинетике фототока структур выявлены долговременная динамика нарастания и релаксации, а также эффект остаточной проводимости после выключения возбуждающего излучения. Установлено присутствие глубоких центров прилипания для электронов, которые в значительной степени влияют на транспорт носителей заряда и на процессы рекомбинации. Температурными исследованиями обнаружен эффект термостимулированной проводимости в гетероструктуре. Из анализа формы кривой термостимулированного тока получено значение глубины зале-гания уровня прилипания относительно зоны проводимости — 0,17 эВ.