Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Д. А. Фокин, С. И. Божко, V. Dubost*, F. Debontridder*, А. М. Ионов, T. Cren*, D. Roditchev*
«Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si.»
0333–0341 (2011)

PACS numbers: 61.05.jh, 68.35.Dv, 68.37.Ef, 68.55.ag, 68.65.Fg, 81.07.St, 82.80.Pv

Выполнены исследования особенностей формирования металличе-ских наноостровков Pb на поверхности кремния методом скани-рующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостров-ков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски–Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождает-ся их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимиза-цией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели элек-тронного роста.