Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко*, В. В. Лобанов
«Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника.»
0313–0324 (2011)

PACS numbers: 73.30.+y, 77.22.Ch, 79.70.+q, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Tv

В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный по-тенциал в системе полупроводник–вакуум–металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при L???10 нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины L???0,1 нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал , который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области.