Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

М. Батаев, Ю. Батаев*, Л. Бриллсон*
«Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзи-сторы c высокой подвижностью электронов.»
0085–0092 (2011)

PACS numbers: 72.80.Ey, 73.40.-c, 73.50.Fq, 73.61.-r, 73.63.Rt, 81.40.Wx, 85.30.-z

Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3?1015 см?2. Структуры c высокой электронной подвижностью на ос-нове AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 1014 см?2. Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны ВАХ, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости.