Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
Л. Г. Ильченко, В. В. Ильченко*, В. В. Лобанов
«О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник–вакуум–металл.»
0055–0065 (2011)
PACS numbers: 73.23.Hk, 73.30.+y, 73.40.Qv, 73.63.Rt, 81.07.Lk, 85.30.-z, 85.35.-p
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник–вакуум–металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние по-верхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ??) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с кон-тактной разницей потенциалов ?? и толщиной ДЭС L. Независи-мость распределения зарядового потенциала в полупроводнике от L при формировании выпрямляющего контакта обу-словливает стабильность высоты запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенци-ального барьера внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения в ней.
|