Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
В. И. Иващенко, О. К. Порада, Л. А. Иващенко, С. Н. Дуб, И. И. Тимофеева, Л. А. Гришнова
«Влияние потенциала смещения на подложке на структурные и механические свойства пленок a-SiC:H
»
0277–0285 (2010)
PACS numbers: 62.20.Qp, 68.37.Ps, 71.15.Pd, 78.66.Jg, 81.15.Gh, 81.40.Pq, 82.80.Pv
В работе исследовано влияние отрицательного потенциала смещения на подложке (UD) на структуру и механические свойства аморфного карбида кремния, полученного методом газофазового осаждения, усиленного высокочастотной плазмой (PECVD). Пленки охарактеризованы с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), ИК-абсорбционной спектроскопии, рентгеновской дифракции и оже-спектроскопии. Нанотвердость, модуль упругости и износостойкость пленок достигают максимума для UD????200 В. Для объяснения механизма упрочнения пленок использовано моделирование осаждения пленок SiC на кремниевые подложки. Как следует из экспериментальных и теоретических исследований, наблюдаемое усиление механических характеристик, обусловленное ростом отрицательного потенциала смещения на подложке, является следствием улучшения аморфной структуры, уплотнения пленки и уменьшения шероховатости ее поверхности.
|