Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

А. А. Кузин, А. В. Заблоцкий, А. С. Батурин, Д. А. Лапшин, П. Н. Мелентьев, В. И. Балыкин
«Способ создания микролинз диаметром менее 50 нм для нанолитографии методами атомной проекционной оптики »
0163–0168 (2009)

PACS numbers: 37.25.+k, 81.15.Hi, 81.15.Jj, 81.16.Nd, 81.16.Rf, 85.65.+h

В данной статье предлагается способ создания массива микролинз, предназначенных для атомной проекционной нанолитографии, на мембране Si3N4 толщиной порядка 40 нм. На мембрану напыляется проводящая пленка толщиной порядка 30 нм, предотвращающая зарядку, что необходимо для устранения эффективного уширения пучка. Затем фокусированным ионным пучком прожигаются отверстия. После чего полученные отверстия «заращиваются» до нужного диаметра за счет индуцированного электронным пучком осаждения углеродосодержащих соединений из остаточных газов камеры. Минимальный полученный диаметр атомной микролинзы составил 20 нм.