Скачать полную версию статьи (в PDF формате)
Г. И. Клето, Я. В. Мартынюк, А. И. Савчук, В. Н. Стребежев, Ю. К. Обедзинский
«Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов
»
0065–0071 (2009)
PACS numbers: 68.55.J-, 77.84.Dy, 81.05.Je, 81.15.Cd, 82.45.Fk, 85.40.Sz, 85.50.Gk
Сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца (ЦТС) толщиной 100–120 нм получены методом ВЧ-катодного распыления пьзоэлектрической керамики ЦТС-19 на стандартных кремниевых пластинах, предварительно покрытых проводящими слоями SnO2 и Y0,5Sr0,5CoO3. Методом растровой электронной микроскопии изучалось влияние электродного подслоя на структуру вакуумного конденсата. Форма петель диэлектрического гистерезиса свидетельствует о наличии механических напряжений в образцах с использованием SnO2. Показано, что число циклов переключения электрической поляризации на тестовых образцах в виде конденсаторов увеличивается в структурах с оксидным электродом Y0,5Sr0,5CoO3, что объясняется снижением механического напряжения на границе электрод–пленка.
|