Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. А. Макара, Л. П. Стебленко, О. О. Коротченков, А. Б. Надточій, Д. В. Калініченко, А. М. Курилюк, Ю. Л. Кобзар, О. М. Кріт, С. М. Науменко
«Особливості магнітостимульованої зміни поверхневого електричного потенціалу в кристалах кремнію, що використовуються для потреб сонячної енергетики та мікроелектроніки»
247–258 (2014)

PACS numbers: 61.72.-y, 68.37.-d, 72.40.+w, 72.80.Cw, 88.40.jj, 85.30.-z, 85.60.-q

The character of magnetostimulated changes in lifetime of carriers in silicon crystals for solar energetics and microelectronics is determined by local photo-emf measurements and plotting the maps of the distribution of surface electrical potential. The features of magnetosensitive effects are associated with differences in impurity composition and differences in behaviour of interdefect transformations caused by the magnetic influence in crystals of ‘solar’ silicon and silicon for microelectronics.