Скачать полную версию статьи (в PDF формате)

В. М. Ищук, Н. А. Спиридонов
«Создание наноструктур за счёт сегнето-антисегнетоэлектрического фазового превращения. Опти-ческие материалы с отрицательным коэффициентом прелом-ления»
0105–0114 (2012)

PACS numbers: наноструктурные плёнки, диоксид циркония, технология Tape Casting, интерференция

Вследствие слабого различия свободных энергий сегнето- (СЭ) и антисегнетоэлектрического (АСЭ) состояний в твёрдых растворах на основе цирконата-титаната свинца, в объёме образцов сосуще-ствуют домены СЭ- и АСЭ-фаз, имеющие размеры порядка 200–300 A. Когерентный характер межфазных границ приводит к концентрации упругих напряжений вдоль этих границ. Поскольку эквивалентные узлы кристаллической решётки занимают ионы различного размера, упругие напряжения обуславливают ло-кальное расслоение твёрдого раствора: «большие» ионы вытесняются в домены с большими параметрами кристаллической решётки, а «малые» ионы — в домены с меньшими параметрами решётки. Размеры образовавшихся сегрегатов составляют порядка 80–150 A. За счёт управления процессом локального распада твёрдого раствора можно получать функциональные материалы с разнообразными наборами физических параметров.